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Vishay：SMD薄膜电阻实验箱

天花机械网 2022-11-16 16:04:22

Vishay：SMD薄膜电阻 /* style definitions */ table.msonormaltable{mso-style-name:普通表格;mso-tstyle-rowband-size:0;mso-tstyle-colband-size:0;mso-style-noshow:yes;mso-style-parent:"";mso-padding-alt:0cm 5.4pt 0cm 5.4pt;mso-para-margin:0cm;mso-para-margin-bottom:.0001pt;mso-pagination:widow-orphan;font-size:10.0pt;font-family:"times new roman";mso-fareast-font-family:"times new roman";mso-ansi-language:#0400;mso-fareast-language:#0400;mso-bidi-language:#0400;}

vishaydale thin film mil-prf-55342电阻通过american society for testing and materials (astm e-595)标准测试方法的认定，在真空环境中出气的总质量损失(tml)和收集的可凝挥发物(cvcm)均达到宇航等级的要求。51电子网公益库存:L1-201-5L1A4297L2162A1L4949EDLM324DR2GLM393PLM3S610-IQN50-C2TLX8211A-001SETLD1117AL33LIS344ALHTRLM2480NA

针对性能有严格要求的高可靠军工和航天应用，e/h系列的全溅镀包覆式接绕端，能确保其优异的附着力和尺寸的一致性。mil-prf-55342薄膜器件具有一个能在+150℃下工作的电镀镍栅层、tamelox电阻芯，高纯铝基板使器件的功率等级达到1000w。

电阻不但具有小于-25db的超低噪声和小于0.1ppm/v的电压系数，还具有低至±25ppm/℃的绝对tcr，经过激光微调后的公差低至0.1%，根据外形尺寸和tcr特性，阻值范围为10Ω～6.19mΩ。mil-prf-55342薄膜器件的储存稳定率为±0.01%，提供抗静电的格栅包装或带盘包装。

器件规格表：

编号

外形尺寸

功率等级(mw)

工作电压 (v)

电阻范围 (ω)

m55342/01

0502

20 ～ 150 k

m55342/02

0505

125

20 ～ 301 k

m55342/03

1005

200

10 ～ 649 k

m55342/04

1505

150

125

10 ～ 1.69 m

m55342/05

2208

225

175

10 ～ 3.16 m

m55342/06

0705

150

10 ～ 475 k

d55342/07

1206

250

100

10 ～ 1.5 m

m55342/08

2010

800

150

10 ～ 4.02 m

m55342/09

2512

1000

200

10 ～ 6.19 m

m55342/10

1010

500

49.9 ～ 1 m

m55342/11

0402

20 ～ 100 k

m55342/12

0603

100

10 ～ 261 k

新款“s”级器件现可提供样品，并已可量产供貨，库存的标准供货周期为十周。

vishay扩充其通过mil-prf-55342认证的e/h系列smd薄膜电阻，具有每1000小时0.001%的“s”级失效率, 共有12种外形尺寸可供选择。qpl器件经过认证后的tcr特性为e、h、k、l和m。

通过100%筛选和广泛的环境测试，包括100%的a组、功率调节和b组抽样测试，以确保增强型电阻具有确实的可靠性。测试后的器件进行定级，认可达到“s”级失效率。

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电阻不但具有小于-25db的超低噪声和小于0.1ppm/v的电压系数，还具有低至±25ppm/℃的绝对tcr，经过激光微调后的公差低至0.1%，根据外形尺寸和tcr特性制罐机，阻值范围为10Ω～6.19mΩ。mil-prf-55342薄膜器件的储存稳定率为±0.01%，提供抗静电的格栅包装或带盘包装。